Toshiba开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（简称“Toshiba”）今天宣布1200V沟槽栅SiC MOSFET产品“TW007D120E”的测试样品开始出货。该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。

随着生成式人工智能（AI）的快速发展，电能消耗不断上升已成为数据中心面临的紧迫课题。尤其是高功率AI服务器的广泛应用以及800V高压直流（HVDC）架构部署的增加，推动了市场对更高功率转换效率和更高功率密度电源系统的需求。针对下一代人工智能数据中心的这些需求，Toshiba开发了TW007D120E，该产品将有助于降低功耗，并实现电源系统的小型化和更高效率。

TW007D120E采用Toshiba专有的沟槽栅结构[1]，实现了业界领先[2]的单位面积低导通电阻（RDS(on)A）；其通过更低的导通电阻降低导通损耗，同时实现更低的开关损耗。与Toshiba现有产品相比，TW007D120E将RDS(on)DS(on)A降低了约58%[3]，品质因数（导通电阻×栅漏电荷，即RDS(on)×Qgd，代表导通损耗和开关损耗之间的平衡）提高了约52%[3]。这些特性将帮助数据中心电源系统实现高效运行并减少发热，从而提升整体系统效率。

这款新产品采用QDPAK封装，支持顶部冷却。这有助于提高功率密度并增强功率级的散热性能，这对下一代AI数据中心的功率转换至关重要。

Toshiba计划在2026财年实现TW007D120E的量产，并将继续拓展其产品阵容，包括面向车载应用的产品开发。凭借这款沟槽栅SiC MOSFET，Toshiba将助力数据中心及各类工业设备提升能效、降低二氧化碳排放，为低碳社会的实现做出贡献。

TW007D120E基于JPNP21029项目取得的成果，该项目由日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）资助。

注：

[1]在半导体衬底中形成微细沟槽，并将栅电极嵌入沟槽内部的器件结构。

[2]截至2026年5月的Toshiba调研。

[3]新开发的1200V SiC MOSFET与Toshiba第三代SiC MOSFET（TW015Z120C）的比较。截至2026年5月的Toshiba调研。

应用

数据中心电源（AC-DC、DC-DC）

光伏逆变器

不间断电源（UPS）

电动汽车充电站

储能系统

工业电机

特性

低导通电阻和低DS(on)A

低开关损耗和低DS(on)× Qgd

较低的栅极驱动电压：VGS_ON=15V至18V

高热性能QDPAK封装

主要规格

（除非另有说明，Tvj=25°C）

器件型号

TW007D120E

封装

名称

QDPAK

绝对最大额定值

漏极-源极电压VDSS（V）

1200

漏极电流（DC）ID（A）

Tc=25°C

172

电气特性

漏极-源极导通电阻RDS(on)（mΩ）

VGS=15V

典型值

7.0

栅极阈值电压Vth（V）

VDS=10V

3.0至5.0

总栅极电荷Qg（nC）

VGS=15V

典型值

317

栅极-漏极电荷Qgd（nC）

VGS=15V

典型值

输入电容Ciss（pF）

VDS=800V

典型值

13972

二极管正向电压VSD（V）

VGS=0V

典型值

3.2

注：开发中产品的规格和时间计划如有变更，恕不另行通知。

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SiC功率器件

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关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

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Toshiba 1200V沟槽栅SiC MOSFET产品TW007D120E。