Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出四款采用小型S‑VSON4T封装的电压驱动型光继电器：“TLP3407SRB”、“TLP3412SRB”、“TLP3412SRHB”和“TLP3412SRLB”。新款光继电器额定最高工作温度达135℃，可用于高温运行的设备。批量出货自即日起开始。
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电气化和自动驾驶技术的进步如今要求车载设备中的电子元件采用高密度封装。这提高了车载半导体的工作温度，因此需要在相近条件下进行测试以评估可靠性；用于车载半导体的测试仪、老化测试设备、探针卡等装置，以及其中使用的光继电器，都必须能够在高温下工作。
Toshiba通过优化内置元件设计，将新产品的最高工作温度从现有产品[1]的125℃提升至135℃。此外，由于新产品为电压驱动型光继电器，输入端内置电阻，因此无需外接电阻，可节省电路板安装空间。产品还采用尺寸为1.45 × 2.0 mm（典型值）的S‑VSON4T小型封装。
这些因素的结合使新款光继电器适用于车载半导体测试仪、探针卡和老化测试设备等需要在有限的电路板空间内安装多颗光继电器，并且要求可靠高温运行的场景。
Toshiba将持续推出支持设备高温运行的系列产品。
注：
[1] TLP3407SRA、TLP3412SRA、TLP3412SRHA和TLP3412SRLA
应用领域
用于评估存储器、SoC、LSI等的半导体测试仪
探针卡
老化测试设备
产品特点
额定工作温度：135°C
小型封装：S-VSON4T（1.45mm×2.0mm（典型值））
主要规格
（除非另有说明，否则Ta=25°C）
TLP3407SRB
TLP3412SRB
TLP3412SRHB
TLP3412SRLB
封装
名称
S-VSON4T
尺寸(mm)
1.45×2.0（典型值），t=1.4（最大值）
触点类型
1-Form-A
（常开）
绝对
最大
额定值
工作温度Topr (°C)
-40至135
关断状态输出端电压VOFF (V)
60
60
60
60
导通电流ION (A)
1
0.4
0.4
0.4
导通电流（脉冲）IONP (A)
3
1.2
1.2
1.2
推荐
运行
条件
输入正向电压VIN (V)
典型值
3.3
3.3
5
1.8
最大值
6
6
5.5
3.3
耦合电气
特性
限制LED电流ILIM(LED) (mA)
VIN=5.5V,
Ta=135°C
最大值
-
-
2
-
VIN=3.3V,
Ta=135°C
最大值
1
2
-
-
VIN=1.8V,
Ta=135°C
最大值
-
-
-
10
工作电压VFON (V)
ION=100mA
最大值
3
3
3.9
1.6
导通电阻RON (Ω)
最大值
0.3
1.5
1.5
1.5
电气
特性
输出电容COFF (pF)
V=0V,
f=1MHz,
t<1s
最大值
150
20
20
20
关断状态电流IOFF (nA)
VOFF=50V
最大值
1
1
1
1
开关
特性
导通时间tON (ms)
RL=200Ω,
VDD=20V,
VIN=5.0V
最大值
-
-
1.5
-
RL=200Ω,
VDD=20V,
VIN=3.3V
最大值
10
1
-
0.1
RL=200Ω,
VDD=20V,
VIN=1.8V
最大值
-
-
-
0.3
关断时间tOFF (ms)
RL=200Ω,
VDD=20V,
VIN=5.0V
最大值
-
-
0.5
-
RL=200Ω,
VDD=20V,
VIN=3.3V
最大值
1
0.5
-
0.225
RL=200Ω,
VDD=20V,
VIN=1.8V
最大值
-
-
-
0.15
隔离
特性
隔离电压BVS (Vrms )
AC, 60s
最小值
500
500
500
500
样品检查及供应情况
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Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先进半导体和存储解决方案的领先供应商，凭借半个多世纪的经验和创新，为客户和业务合作伙伴提供卓越的分立半导体、系统LSI和HDD产品。
公司在全球的17,000名员工致力于最大限度提高产品价值，并促进与客户的密切合作，共同创造价值和开拓新市场。公司期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。
如需了解更多信息，请访问 https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
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Toshiba：额定工作温度135℃的小型光继电器，适用于高温设备运行。
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